ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.2V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 15nC @ 5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1066pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.25W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Micro8™ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |