ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1500pF @ 15V |
სიმძლავრე - მაქს | 2W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 14-SOIC |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |