ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | - |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | - |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 750pF @ 20V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | - |
ოპერაციული ტემპერატურა | - |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SO |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |