ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 7V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2270pF @ 15V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DIRECTFET™ MQ |
პაკეტი / კორპუსი | DirectFET™ Isometric MQ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |