| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 650V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (მაქს) | ±20V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 328pF @ 100V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 34.7W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Thin-PAK (5x6) |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
