ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 55V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 51A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 80µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 7768pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 135W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PG-TO262-3 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |