ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 55V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 19µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 17nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 560pF @ 25V |
სიმძლავრე - მაქს | 51W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PG-TDSON-8-4 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |