| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 650V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (მაქს) | ±20V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 262pF @ 100V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 28.4W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PG-TO252-3 |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
