ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 80V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 6V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 13.6 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.5V @ 33µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1730pF @ 40V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 79W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | D²PAK (TO-263AB) |
პაკეტი / კორპუსი | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |