| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | High-Side or Low-Side |
| არხის ტიპი | Single |
| დრაივერების რაოდენობა | 1 |
| კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 12V ~ 16V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 0.9V, 3.8V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 15A, 15A |
| შეყვანის ტიპი | - |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 40ns, 40ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 85°C (TA) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| პაკეტი / კორპუსი | Module |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Module |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
