ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N and P-Channel |
FET ფუნქცია | Standard |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 100V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 62A, 54A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4.5V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 104nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 5080pF @ 25V |
სიმძლავრე - მაქს | 89W, 132W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
პაკეტი / კორპუსი | i4-Pac™-5 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | ISOPLUS i4-PAC™ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |