| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Standard |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 600V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 12A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| სიმძლავრე - მაქს | 130W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| პაკეტი / კორპუსი | i4-Pac™-5 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
