ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.3V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 435pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 700mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 6-VDFN Exposed Pad |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-MicroFET (2x2) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |