| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
|---|---|
| ტრანზისტორის ტიპი | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს) | 100mA |
| ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს) | 50V |
| რეზისტორი - ბაზა (R1) | 47 kOhms |
| რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2) | - |
| DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური) | 500nA (ICBO) |
| სიხშირე - გარდამავალი | 250MHz |
| სიმძლავრე - მაქს | 150mW |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | SOT-563, SOT-666 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | EMT6 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
