ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 250mA |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.3V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 15pF @ 25V |
სიმძლავრე - მაქს | 120mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | SOT-563, SOT-666 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | EMT6 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |