ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N and P-Channel |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 4V Drive |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.7A, 3.5A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | - |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 18nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 955pF @ 20V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.5W |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SMD, Flat Lead |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-ECH |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |