| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ტრანზისტორის ტიპი | PNP - Pre-Biased + Diode |
| მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს) | 500mA |
| ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს) | - |
| რეზისტორი - ბაზა (R1) | 2.2 kOhms |
| რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2) | 2.2 kOhms |
| DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური) | - |
| სიხშირე - გარდამავალი | 200MHz |
| სიმძლავრე - მაქს | 200mW |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SMT3 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
