ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Standard |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 40V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 11.1A (Ta), 42A (Tc) |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 805pF @ 20V |
სიმძლავრე - მაქს | 2.6W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PowerDI5060-8 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |