ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 35A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 33.7nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±25V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1674pF @ 15V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 940mW (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PowerDI3333-8 |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |