ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 700V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | - |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 351pF @ 50V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 41W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 155°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-251 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |