ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET ფუნქცია | Standard |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2.4A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 731pF @ 20V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.6W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SO |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |