ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.6A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 608.4pF @ 6V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.15W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SO |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |