| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
|---|---|
| FET ტიპი | N and P-Channel |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 400pF @ 15V |
| სიმძლავრე - მაქს | 840mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TSOT-23-6 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
