ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 11.7A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.3V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1849pF @ 15V |
FET ფუნქცია | Schottky Diode (Body) |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.54W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOP |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |