| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 5V Drive |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 25V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V |
| სიმძლავრე - მაქს | 12W (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
