ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 8V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2.5V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 950mV @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 24.6nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | -6V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1130pF @ 4V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.7W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 9-DSBGA |
პაკეტი / კორპუსი | 9-UFBGA, DSBGA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |