| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | SiCFET (Silicon Carbide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 1200V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 28A (Tj) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 20V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
| Vgs (მაქს) | +25V, -5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 928pF @ 800V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 202W (Tj) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Die |
| პაკეტი / კორპუსი | Die |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
