| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| IGBT ტიპი | - |
| კონფიგურაცია | Half Bridge |
| ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს) | 1200V |
| მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს) | 900A |
| სიმძლავრე - მაქს | 5900W |
| Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 900A |
| მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური) | 1mA |
| შეყვანის მოცულობა (Cies) @ Vce | 140nF @ 10V |
| შეყვანა | Standard |
| NTC თერმოსტორი | No |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | - |
| პაკეტი / კორპუსი | Module |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Module |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
