ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
არხის ტიპი | Synchronous |
დრაივერების რაოდენობა | 2 |
კარიბჭის ტიპი | N-Channel MOSFET |
ძაბვა - მიწოდება | 10.8V ~ 13.2V |
ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 0.8V, 1V |
მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 3A, 4A |
შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 35V |
აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 21ns, 18ns |
ოპერაციული ტემპერატურა | 0°C ~ 125°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 10-VFDFN Exposed Pad |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 10-DFN (3x3) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |