ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
დიოდის ტიპი | Silicon Carbide Schottky |
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს) | 1200V |
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) | 6.2A (DC) |
ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ | 1.7V @ 2A |
სიჩქარე | No Recovery Time > 500mA (Io) |
უკუ აღდგენის დრო (trr) | 0ns |
მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr | 100µA @ 1200V |
მოცულობა @ Vr, F | 136pF @ 0V, 1MHz |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-263 (D2Pak) |
სამუშაო ტემპერატურა - კვანძი | -55°C ~ 175°C |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |