| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | SiCFET (Silicon Carbide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 1000V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 15V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vgs (მაქს) | +19V, -8V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 660pF @ 600V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 113.5W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-247-4L |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-247-4 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
