ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Last Time Buy |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 65V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 75A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 59.6nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | ±15V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 4170pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 171W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | D2PAK-7 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |