ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 55V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | - |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 17.6nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1236pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | - |
ოპერაციული ტემპერატურა | - |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DPAK |
პაკეტი / კორპუსი | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |