| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 55V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 90µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (მაქს) | ±20V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| FET ფუნქცია | Temperature Sensing Diode |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 120W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PG-TO263-5-2 |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
