| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N and P-Channel Complementary |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.4V @ 110µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 419pF @ 10V |
| სიმძლავრე - მაქს | 2.5W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PG-TSDSON-8-FL |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
