| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 50V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 160mA |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 36pF @ 25V |
| სიმძლავრე - მაქს | 445mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-TSSOP |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
