ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 200V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2V, 2.8V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.5V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 150pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 350mW (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-92-3 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |