ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
ორიენტირებული კონფიგურაცია | High-Side |
არხის ტიპი | Single |
დრაივერების რაოდენობა | 1 |
კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel MOSFET |
ძაბვა - მიწოდება | 10V ~ 20V |
ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 290mA, 600mA |
შეყვანის ტიპი | Inverting |
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 600V |
აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 75ns, 25ns |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOIC |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |