ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 29.5 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | - |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2400pF @ 20V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 50W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | ATPAK |
პაკეტი / კორპუსი | ATPAK (2 leads+tab) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |