| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 4 N-Channel |
| FET ფუნქცია | Silicon Carbide (SiC) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 30mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| სიმძლავრე - მაქს | 750W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Chassis Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | Module |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SP3 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
