ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ფუნქცია | Silicon Carbide (SiC) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 1000V (1kV) |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 36A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5V @ 5mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 308nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 8700pF @ 25V |
სიმძლავრე - მაქს | 694W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Chassis Mount |
პაკეტი / კორპუსი | SP4 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SP4 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |