| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| დიოდის ტიპი | Single Phase |
| ტექნოლოგია | Silicon Carbide Schottky |
| ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური) | 1.2kV |
| მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) | 40A |
| ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ | 1.8V @ 40A |
| მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr | 800µA @ 1200V |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Chassis Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | SP1 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SP1 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
