ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | SiCFET (Silicon Carbide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 700V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 20V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 10A, 20V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 67nC @ 20V |
Vgs (მაქს) | +25V, -10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1035pF @ 700V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 176W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-247-3 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-247-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |