ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 600V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.9V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2440pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 208W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | D3Pak |
პაკეტი / კორპუსი | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |