ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 33V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 60A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.7V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1450pF @ 15V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.9W (Ta), 79W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-220 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-220-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |