ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | - |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | - |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2065pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 3.1W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN (3x3) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |