ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 100V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 50A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 6V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.4V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2075pF @ 50V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 6.25W (Ta), 83W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerWDFN |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |