ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 15A, 28A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.3V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 21nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1560pF @ 15V |
სიმძლავრე - მაქს | 2W, 2.2W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-WDFN Exposed Pad |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN-EP (5x6) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |