ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 11.5A, 17A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.4V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 15nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1110pF @ 15V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.9W, 2.1W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN (5x6) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |