| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 40V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 9A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 11.3 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1950pF @ 20V |
| სიმძლავრე - მაქს | 1.6W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN-EP (5x6) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
